微弱光計測向け 高感度フォトレシーバー
FWPR / PWPR / LCA-S シリーズ
固定ゲイン｜最大帯域 400 kHz
FWPR、PWPR、および LCA-S シリーズは、Si-PIN、InGaAs-PIN、Black Silicon フォトダイオードと、
低ノイズ・トランスインピーダンスアンプを組み合わせた高感度フォトレシーバーです。
20 Hz〜400 kHz帯の帯域幅に最適化することでノイズを抑え、微弱な光信号の高感度検出に対応しています。
レーザー計測、蛍光観測、ロックイン計測などの用途に適しています。
特長
- 最大帯域幅 400 kHz
- 最大変換ゲイン 0.6 × 1012 V/W
- 最小 NEP 0.7 fW/√Hz
- 170 ～ 1700 nm の波長範囲に対応する Si、InGaAs、Black Silicon フォトダイオード
- 1.035”-40 ネジ規格の自由空間入力を採用し、多くの標準光学システムに対応
主な応用
- 蛍光・分光測定
- 光源評価、反射率・透過率測定
- 時間分解光パルス測定
- チョッパー変調による高感度計測
- オシロスコープ、A/Dコンバータ、ロックインアンプ向け光入力モジュール（O/Eコンバータ）
- PMT、APDなど高感度光検出器の代替検討用途
製品一覧
Black Silicon フォトダイオード（200～1100nm）
| モデル | Black Silicon フォトレシーバー LCA-S-400K-BSI |
|---|---|
| フォトダイオード | 2 × 2 mm2 ブラックシリコン |
| 波長レンジ | 200 - 1100 nm |
| バンド幅 (−3 dB) | DC - 400 kHz |
| 立上り/立下り時間 (10% - 90%) | 900 ns |
| トランスインピーダンス | 1 × 107 V/A |
| 変換ゲイン | 7.3 × 108 V/W |
| 最小 NEP | 110 fW/√Hz |
| 出力電圧 | –3 ～ +10 V |
Si-PIN フォトダイオード（320～1100nm）
| モデル | フェムトワットフォトレシーバー FWPR-20-SI-FST |
ピコワットフォトレシーバー PWPR-2K-SI-FST |
400kHz フォトレシーバー LCA-S-400K-SI-FST |
|---|---|---|---|
| フォトダイオード | 1.1 × 1.1 mm2 Si-PIN | 1.2 mm Ø Si-PIN | 3.0 mm Ø Si-PIN |
| 波長レンジ | 320 - 1100 nm | 320 - 1060 nm | 320 - 1060 nm |
| バンド幅 (−3 dB) | DC - 20 Hz | DC - 2 kHz | DC - 400 kHz |
| 立上り/立下り時間 (10% - 90%) | 18 ms | 165 µs | 900 ns |
| トランスインピーダンス | 1 × 1012 V/A | 1 × 109 V/A 1 × 1010 V/A (switchable) |
1 × 107 V/A |
| 変換ゲイン | 0.6 × 1012 V/W @ 960 nm | 6.4 × 108 V/W 6.4 × 109 V/W (switchable) |
5.9 × 106 V/W |
| 最小 NEP | 0.7 fW/√Hz | 9 fW/√Hz |
120 fW/√Hz |
| 出力電圧 | –1.6 V ～ +10 V (@100 kΩ 終端) |
-1.2 ～ +10 V (@100 kΩ 終端) |
-3 ～ +10 V (@100 kΩ 終端) |
InGaAs-PIN フォトダイオード（900～1700nm）
| モデル | フェムトワット フォトレシーバー FWPR-20-IN-FST |
ピコワット フォトレシーバー PWPR-2K-IN-FST |
400kHz フォトレシーバー LCA-S-400K-IN-FST |
|---|---|---|---|
| InGaAs-PIN フォトダイオード | ⌀ 0.5 mm | ⌀ 0.5 mm | ⌀ 0.5 mm |
| 波長レンジ | 900 - 1700 nm | 900 - 1700 nm | 900 - 1700 nm |
| バンド幅 (−3 dB) | DC - 20 Hz | DC - 2 kHz | DC - 400 kHz |
| 立上り/立下り時間 (10% - 90%) | 18 ms | 165 µs | 1 µs |
| トランスインピーダンス | 1 × 1011 V/A | 1 × 109 V/A 1 × 1010 V/A (switchable) |
1 × 107 V/A |
| 変換ゲイン | 9.5 × 1010 V/W | 1.1 × 109 V/W 1.1 × 1010 V/W (switchable) |
9.5 × 106 V/W |
| 最小 NEP | 7.5 fW/√Hz | 10 fW/√Hz |
75 fW/√Hz |
| 出力電圧 | –1.6 V ～ +10 V | -1.2 ～ +10 V | -3 ～ +10 V |