フェムトワットフォトレシーバー
InGaAs｜固定ゲイン｜帯域 20 Hz｜900 ～ 1700 nm
FWPR-20-IN-FST
超低ノイズにより、超高ゲインを実現
FWPR-20-IN-FST フォトレシーバーは、低ノイズ InGaAs PIN フォトダイオードと、最大 1011 V/A の超高ゲインで超低ノイズを兼ね備えた特別設計のトランスインピーダンスアンプの組合せにより、7.5 fW/√Hz と、並外れた低 NEP で、フェムトワット感度のフォトレシーバーを実現しました。
高価な APD、PMT や LN₂ 冷却型 IR ディテクターを置換え
FWPR-20-IN-FSTフォトレシーバーは、非常に高感度のため、多くのアプリケーションで APD、PMT や 冷却 Ge フォトダイオードを置き換えることができます。高価な高圧電源や冷却装置は必要ありません。
近赤外分光法において、液体窒素冷却型ゲルマニウム検出器に外部アンプを用いた、より高価で複雑なシステムと同等の結果を得ることができます。内蔵されている超低ノイズ・高ゲインのアンプにより、～V レベルの信号を直接出力できます。
特長
- 超低ノイズ：NEP 7.5 fW/√Hz
- トランスインピーダンスアンプ内蔵：最大ゲイン 1011 V/A
- 波長範囲：900 nm～1700 nm
主な応用
- 蛍光測定
- 分光
- 電気泳動
- クロマトグラフィー
-
光電子増倍管（PMT）、
アバランシェフォトダイオード（APD）、
液体窒素冷却型 Ge フォトダイオードの代替品
仕様
| モデル | FWPR-20-IN-FST |
|---|---|
| フォトダイオード | 0.5 mm ⌀ InGaAs PIN |
| 波長レンジ | 900 ～ 1700 nm |
| バンド幅 (-3 dB) | DC ～ 20 Hz |
| 立上り/立下り時間 (10% - 90%) | 18 ms |
|---|---|
| トランスインピーダンス | 1 x 1011 V/A |
| 最大変換ゲイン | 0.95 x 1011 V/W (@1550 nm) |
| 最小 NEP (@1 Hz) | 7.5 fW/√Hz（@1550 nm） |
-
※出力電圧：最大 ±10 V max (@ 100 kΩ 負荷) 。
-
※オフセットはトリマポットにて調整可。
-
※標準的なポストを使用できるよう、M4 および 8-32 のネジを設置。
-
※電源入力は、±15 V 3ピンLEMOコネクター。電源入力用 LEMOコネクターを付属。別売り PS-15 パワーサプライを準備。
この製品に関するお問合せフォーム
フォームが表示されるまでしばらくお待ちください。
しばらくお待ちいただいてもフォームが表示されない場合、恐れ入りますが こちら までお問合せください。