フェムトワットフォトレシーバー
Si-PIN｜固定ゲイン｜帯域 20 Hz｜320 ～ 1100 nm
FWPR-20-SI-FST
超低ノイズにより、超高ゲインを実現
FWPR-20-SI フォトレシーバーは、低ノイズ Si PIN フォトダイオードと、最大 1012 V/A の超高ゲインで超低ノイズを兼ね備えた特別設計のトランスインピーダンスアンプの組合せにより、0.7 fW/√Hz と、並外れた低 NEP で、フェムトワット感度のフォトレシーバーを実現しました。レシーバー後に平均化回路を追加することなく、約 50 fW までの光パワーの直接検出が可能です。
高価な APD、PMT や LN₂ 冷却型 IR ディテクターを置換え
FWPR-20-SI フォトレシーバは、非常に高感度のため、多くのアプリケーションで APD、PMT や 冷却 Ge フォトダイオードを置き換えることができます。高価な高圧電源や冷却装置は必要ありません。
FWPR-20-SI は、 APD ベースのシングルフォトンカウンタと同様に、可視～近赤外波長域での高い量子効率を提供します。タイミングが重視されないアプリケーション、例えばフォトンカウンタの信号が数 10 ミリ秒以上積分されるような場合は、FWPR-20-SI フォトレシーバーは、同等の信号 SN 比をわずかなコストで達成します。
特長
- 超低ノイズ：NEP 0.7 fW/√Hz
- トランスインピーダンスアンプ内蔵：最大ゲイン 1012 V/A
- 波長範囲：320 nm～1100 nm
応用
- 蛍光測定
- 分光
- 電気泳動
- クロマトグラフィー
- 光電子増倍管（PMT）、アバランシェフォトダイオード（APD）、液体窒素冷却型 Ge フォトダイオードの代替品
仕様
| フォトダイオード | 1.1 x 1.1 mm2 Si |
|---|---|
| 波長レンジ | 320 ～ 1100 nm |
| バンド幅 (-3 dB) | DC ～ 20 Hz |
| 立上り/立下り時間 (10% - 90%) | 18 ms |
| トランスインピダンス | 1 x 1012 V/A |
|---|---|
| 最大変換ゲイン | 0.6 x 1012 V/W (@960 nm) |
| 最小 NEP (@1 Hz) | 0.7 fW/√Hz(@960 nm) |
-
※出力電圧：最大 ±10 V max (@ 100 kΩ 負荷) 。
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※オフセットはトリマポットにて調整可。
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※標準的なポストを使用できるよう、M4 および 8-32 のネジを設置。
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※電源入力は、±15 V 3ピンLEMOコネクター。電源入力用 LEMOコネクターを付属。別売り PS-15 パワーサプライを準備。
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