極限の性能で実現する最高精度
SUPERSCAN IIEは、革新的な熱マネジメントとモジュール設計により、高度なレーザーアプリケーションに最適な偏向ユニットです。
「enhanced」オプションでは、長期ドリフト性能が50 %向上します。
さらに、水温制御オプションを追加することで、長期ドリフトを一層低減できます。
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高度な熱マネジメント
温度影響を最小限に抑え、安定した高精度動作を実現 -
優れた長期ドリフト性能
「enhanced」オプションにより、長時間運転でも高い位置安定性を維持 -
水温制御オプション
極めて低い許容差が求められる用途において、さらなる精度向上に貢献 - 入射開口径:7mm / 10mm / 12mm / 15mm / 20mm / 30 mm

動画
SUPERSCAN II - High speed scan heads
仕様
一般仕様
| 電源 | 電圧:±15 to ±18 V 電流:3 A, RMS, max. 10 A リップル /ノイズ:最大 200 mVpp, @ 20 MHz 帯域幅 |
|---|---|
| インターフェース信号:デジタル | XY2-100 プロトコル |
| 周囲温度 | +15 ~ +35 °C |
| 保存温度 | -10 ~ +60 °C |
| 湿度 | ≤ 80 % 結露なし |
| 温度ドリフト | 最大 Gaindrift ※1:< 15 ppm/K 最大 Offsetdrift ※1:< 10 µrad/K |
| 典型的な振り角 | ± 0.393 rad |
| 光学分解能 | 12 µrad |
| 繰り返し精度 (RMS) | 2.0 µrad |
| 長期ドリフト 8 時間 (水温制御なし) ※1, ※2 | < 150 µrad |
| 長期ドリフト 8 時間 (水温制御) ※1, ※3 | < 100 µrad |
| ポジションノイズ (RMS) | <3.2 µrad |
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※1軸あたりのドリフト
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※230 分間のウォームアップ後、一定の周囲温度およびプロセスストレスで
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※330 分間のウォームアップ後、プロセス負荷を変化させた状態で、水温制御を 2 l/min 以上、水温を 22°C に設定した状態
口径別 主要仕様
| ガルバノユニット | SS-IIE-7 | SS-IIE-10 | SS-IIE-12 | SS-IIE-15 | SS-IIE-20 | SS-IIE-20 L | SS-IIE-30 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 入力口径 [mm] | 7 | 10 | 12 | 15 | 20 | 20 | 30 |
| ビーム変位置 [mm] | 9.0 | 12.4 | 14.0 | 18.55 / 18.05 1 | 26.28 / 25.63 1 | 26.28 / 25.63 1 | 35.82 / 35.38 1 |
| 質量 (対物レンズなし) [kg] | 約 1.6 | 約 3.3 | 約 3.3 | 約 3.3 | 約 3.3 | 約 5.9 | 約 5.9 |
| 寸法 (LxWxH) [mm] | 135 x 97 x 102.0 | 170 x 125 x 117.5 | 170 x 125 x 117.5 | 170 x 125 x 117.5 | 170 x 125 x 117.5 | 203 x 159 x 150/160.5 2 | 203 x 159 x 150/160.5 2 |
| 水焼戻しオプション | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ | |
| エアフラッシュオプション | ✓ | ✓ |
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※1石英ガラスミラーの仕様
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※2AXIALSCAN バリエーションのみ、保護ウィンドウ用の出追加出力
ミラー 体系仕様
| 偏向ユニット | SS-IIE-7 | SS-IIE-10 | SS-IIE-12 | SS-IIE-15 | SS-IIE-20 | SS-IIE-30 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 355 nm | SI | SI | SI | QU, SI | QU | |
| 532 nm | SI | SI | SI | QU, SI | QU, SI | QU |
| 780-980 nm + AL | QU | QU | QU | |||
| 1,064 nm | SI | SI | SI | QU, SI | QU, SI | QU, SI, SC |
| 900-1,100 nm + AL | SC | |||||
| 1,020-1,040 nm | QU | |||||
| 1,060-1,080 nm | QU, SC | |||||
| 10,600 nm | SI | SI | SI | SI, SC | SI | SI, SC |
標準:QU = 石英 (溶融シリカ)、SI = シリコン、高速:SC = 炭化シリコン
型番別 動的仕様
| ガルバノユニット | SS-II E-7 | SS-II E-10 | SS-IIE-12 | SS-IIE-15 | SS-IIE-15 | SS-IIE-15 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ミラータイプ | SI | SI | SI | QU | SI | SC |
| 加速時間 [ms] | 0.19 | 0.22 | 0.25 | 0.36 | 0.30 | 0.24 |
| 書き込み速度 [cps] ※1, ※2 | 900 | 800 | 650 | 450 | 500 | 650 |
| 処理速度 [rad/s] ※1 | 90 | 60 | 50 | 35 | 40 | 50 |
| 位置決め速度 [rad/s] ※1 | 90 | 60 | 50 | 35 | 40 | 50 |
| ガルバノユニット | SS-IIE-20 / SS-IIE-20 L | SS-IIE-20 / SS-IIE-20 L | SS-IIE-30 | SS-IIE-30 | SS-IIE-30 |
|---|---|---|---|---|---|
| ミラータイプ | QU | SI | QU | SI | SC |
| 加速時間 [ms] | 0.70 | 0.61 | 0.90 | 0.84 | 0.52 |
| 書き込み速度 [cps] ※1, ※2 | 350 | 350 | - | - | - |
| 処理速度 [rad/s] ※1 | 35 | 35 | 25 | 30 | 35 |
| 位置決め速度 [rad/s] ※1 | 35 | 35 | 25 | 30 | 35 |
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※1f-θレンズの場合 f = 160mm / 視野サイズ110mm x 110mm.
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※2高さ 1mm のシングルストロークフォント
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※製品仕様は改良などにより、予告なしに変更となる場合あります。
メーカーHPにアップロードされている最新の仕様も併せて必ずご確認ください。
アプリケーション
彫刻、マーキング、切除、切断、溶接、穿孔、またはオンザフライでの高速処理などの材料処理。
- 彫刻加工
- マーキング
- アブレーション
- 切断
- 溶接
- 穴あけ加工
- オンザフライでの高速加工
水温制御オプションは、マイクロマシニング、穴あけ、ITO構造形成、Agパターニングなど、低公差が求められる高精度用途に特に適しています。
技術資料
データシート
デモ機
| 品名 | 型番 | 数量 |
|---|---|---|
| 2Dガルバノスキャナー F-theta:10.6µm, f=100, Field size approx 70×70mm |
SUPERSCAN-IIE-HS-15 [C] | 1 |
| 2Dガルバノスキャナー F-theta:1064nm, f=100.3, Field size approx 24×24mm |
SUPERSCAN-IIE-20 [Y] | 1 |
| コントロールカード Software:weldMARK 2.0 / 3.0 |
SP-ICE-1 PRO | 1 |
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