Cバンド 40GHz帯 QPSK変調器
IQ
IQの設計は、2つのマッハツェンダー変調器（DP-MZM）を並列に配置したマッハツェンダスーパーストラクチャを採用し、マッハツェンダスーパーストラクチャに組込まれています。
各変調器は、20GHz以上のEO帯域を持つように設計されています。 モニターフォトダイオードは、自動バイアス制御（ABC）が付いています。
特長
- ネスト型マッハツェンダ変調器
- X-Cutリチウムニオブ酸塩
- 波長1525 - 1570 nmで動作
- 30 GHz以上の広帯域動作
- 高い消光比
- 低光学挿入損失
- 優れたリニアリティ
アプリケーション
- OFDM符号化
- QPSK符号化
- QAM符号化
- CS-SSB (Carrier Suppressed Single Side Band)
- FMCWライダー
仕様
光学特性
| パラメーター | 単位 | 条件① | 最小値 | 基準値 | 最大値 |
|---|---|---|---|---|---|
| 動作中 波長範囲 | nm | - | 1525 | - | 1570 |
| 挿入損失, IL② | dB | EOL, -5～+75℃, Cバンド以上 |
- | 5.0 | 7.0 |
| フェーズMZI 光消光比 | dB | DCで測定 | 24 | - | - |
| RF-MZI光学 消光比 | dB | - | 24 | 29 | - |
| 偏光消光 | dB | - | 20 | - | - |
| 光リターンロス 光損失、RL | dB | 入出力 | 40 | - | - |
電気式RF端子
| パラメーター | 単位 | 条件① | 最小値 | 基準値 | 最大値 |
|---|---|---|---|---|---|
| RF-MZI Vπ | V | @1 kHz | - | 5.0 | 7.0 |
| RF-MZO - 3 dB E/O帯域幅 | GHz | wrt. 2 GHz | 20 | 23 | - |
| RF-MZI S21 平坦度 | dB | 300 MHz - 20 GHz | -1 | - | 1 |
| RF-MZI間の振幅差（S21s間の差） | dB | - | -1 | - | 1 |
| RF-MZI間の遅延 | ps | - | -5 | - | 5 |
| RF-MZI 電気的リターンロス S11 | dB | 40 MHz - 17 GHz 17 GHz - 30 GHz |
10 8 |
12 10 |
- - |
電気式バイアス端子④
| パラメーター | 単位 | 条件① | 最小値 | 基準値 | 最大値 |
|---|---|---|---|---|---|
| RF MZI バイアス Vπ 電圧 | V | @1 kHz | - | 7 | 8 |
| 位相 MZI バイアス Vπ 電圧 | V | @1 kHz | - | 7 | 8 |
| RFと位相MZIバイアスVπ Vlotageの 波長依存性 |
% | Cバンド wrt 1550 nm | -5 | - | 5 |
| バイアス端子インピーダンス | MΩ | @DC | 1 | - | - |
フォトダイオードモニタ⑤
| パラメーター | 単位 | 条件① | 最小値 | 基準値 | 最大値 |
|---|---|---|---|---|---|
| 反応速度⑥ | mA/W | - | 20 | - | 120 |
| 直線性 | % | - | -10 | - | 10 |
| 位相差⑦⑧ | ° | PD反転なし | -5 | - | 5 |
-
①使用開始時に特に指定のない限り、Top = 25℃，波長1550 nmの条件です。
-
②挿入損失は変調器の伝達関数の最大値で測定し、コネクタは除外すること。
-
③テストセットアップは合意されたものであること。
-
④各バイアス部には2つの制御端子があり，EOLバイアス電圧範囲を確保するため、動作中はすべてのMZのバイアス電極に差動電圧を供給します。
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⑤PDは1個で全体の出力を監視します。
-
⑥PDの応答性の定義（右図参照）
・インナーMZを最大透過率に設定する。
・外側の（位相）MZに電圧を印加する。
・応答性 R=(Im_- 3 dB) / (Pout_- 3 dB)
・Im_ - 3 dBは、出力光パワーが最大から-3 dBの時のフォトダイオードの電流です。
・Pout_- 3 dBは、最大値から-3 dBの時の出力光パワーです。 -
⑦PD位相誤差は、PD出力の最大/最小と、変調器光出力の最大/最小の差（変調器位相）です。
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⑧PD位相誤差が±5°の場合、位相誤差は±2.8%に相当します。
技術資料
データシート
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