200MHz フォトレシーバー
HCA-S-200Mシリーズ
広帯域で高感度
HCA-S-200M シリーズは、 高速フォトダイオードと類を見ない FEMTO 社 HCA 電流アンプ技術のコンビネーションにより、生まれました。
HCA-S-200M は、Si と InGaAs フォトダイオードが選択でき、それぞれ波長域 320～1000nm、900～1700nm をカバーします。
電流アンプのトランスインピダンスは、2 x 104 V/A であり、その結果、InGaAs モデルの1550 nm において、最大 1.9 x 104 V/W の変換効率を実現しています。また、高性能の DC カップルマルチステージアンプデザインにより、DC から最大 200MHz の帯域（1.8 nsの立上り時間に相当）での測定を可能にします。
最小 NEP（Noise Equivalent Power）は、5 pW/√Hz におよびます。これは、マイクロワットレベルの光信号を平均化なしで測定可能であることを示唆しています。
特注設計によるベストソリューションの提案
全ての応用は、帯域、ゲイン、応答性に対して、それぞれ異なった仕様を要求します。
FEMTO 社は、スタンダード製品群に加えて、様々なアプリケーションに最適な仕様を持つフォトレシーバーの特注設計を提供します。
特長
- Si PIN と InGaAs PIN フォトダイオード
- 波長レンジ：320 nm ～ 1700 nm
- バンド幅：DC ～ 200MHz
- 最大変換ゲイン：1.9 x 104 V/W
- 最小 NEP：5.2 pW/√Hz
- 最小 NEP：5.2 pW/√Hz
応用
- 分光計測
- 高速光パルス、過渡現象測定
- 光トリガ （ピックアップ用途）
- オシロスコープ、 A/Dコンバータ、ロックインアンプ用フロントエンド
仕様・データシート
| モデル | HCA-S-200M-SI | HCA-S-200M-IN |
|---|---|---|
| フォトダイオード | 0.8 mm ⌀ Si PIN | 0.3 mm ⌀ InGaAs PIN |
| 波長レンジ | 320 ～ 1000 nm | 900～ 1700 nm |
| バンド幅 (-3 dB) | DC ～ 200 MHz | DC ～ 200 MHz |
| 立上り/立下り時間 (10%～ 90%) | 1.8 ns | 1.8 ns |
| トランスインピダンス | 2 x 104 V/A | 2 x 104 V/A |
| 最大変換ゲイン | 1.1 x 104 V/W(@ 800 nm) | 1.9 x 104 V/W(@ 1550 nm) |
| 最小 NEP (@10 MHz) | 10 pW/√Hz(@ 800 nm) | 5.2 pW/√Hz(@ 1550 nm) |
| 入力オプション | Free space (FS),FC or SMA | Free space (FS), FC |
| データシート |
| 出力電圧：最大 ±1.7 V max (@ 50 Ω 負荷)。トリマポットにてオフセット調整可。 オプションにて、ACカップリングを特注対応。フリースペース入力フォトレシーバーは、標準的なポストを使用できるよう、M4 および 8-32 のネジを設置。±15 V 3ピンLEMOコネクタ電源入力。 電源入力用コネクタ付属。PS-15パワーサプライ別売り。 その他詳細情報はデータシートを参照、もしくは、(株)オプトサイエンスにお問合せください。 |
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※製品仕様は改良などにより、予告なしに変更となる場合あります。
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