OE-200-BPR は、2系統の光信号差分を高感度に測定するための差動型フォトレシーバーです。
2系統の光入力差を検出することで、レーザー強度揺らぎなどの共通ノイズ成分を低減しながら、微小な差動光信号を高感度に測定できます。
HBPR シリーズ(最大 500 MHz)に対し、OE-200-BPR は低周波~500 kHz帯域に特化した、高感度・低ノイズ重視のモデルです。 微小な光強度差測定やバランス光検出用途に適しています。
Si および InGaAs モデルをラインアップし、320 ~ 1700 nm の広い波長域をカバー。 9段階の可変ゲインにより、幅広い入力光レベルに柔軟に対応します。

特長
- 最大帯域 500 kHz
- 高CMRR(同相信号除去比)50 dB Typ.
- 最小 NEP 6 fW/√Hz の低ノイズ性能
-
Si / InGaAs モデルをラインアップ(320 ~ 1700 nm)
- 9段階切替式変換ゲイン
- 幅広い入力光レベルに対応
- 10 Hz ローパスフィルタ切替機能
- AC/DCカップリング切替
- FCファイバー結合入力
- LUCI-M USB データ収集・制御システム対応
- LUCI-10 USB アダプタによるリモート制御対応
主な応用
- バランス光検出
- レーザー強度ノイズ(RIN)測定
- 吸収 ・ 透過率評価
- 干渉計測
- 光学ブリッジ測定
-
微小変調光検出
- 分光計測
- 光通信 ・ 光ファイバー評価
- オシロスコープ ・ A/Dコンバータ向け差動型光信号フロントエンド
仕様・データシート
| モデル | OE-200-BPR-SI-FC | OE-200-BPR-IN-FC |
|---|---|---|
| フォトダイオード | 1.2 mm ⌀ Si-PIN | 800 µm ⌀ InGaAs-PIN |
| 波長レンジ | 320 - 1060 nm | 900 - 1700 nm |
| 校正波長 | 850 nm | 1550 nm |
| NEP(ゲインに依存) [/√Hz] |
13 fW – 40 pW | 6 fW – 21 pW |
| データシート |
全OE-200-BPRモデル共通仕様
| レンジ設定 | Low Noise | → |
High Speed | → |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 変換ゲイン (@校正波長) |
103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 1010 | 1011 |
| バンド幅 (-3 dB) | 500 | 500 | 400 | 200 | 50 | 7 | 1.1 | 500 | 500 | 400 | 200 | 50 | 7 | 1.1 |
| 立上り/立下り時間 (10% - 90%) |
700 ns | 700 ns | 900 ns | 1.8 µs | 7 µs | 50 µs | 300 µs | 700 ns | 700 ns | 900 ns | 1.8 µs | 7 µs | 50 µs | 300 µs |
| 同相信号除去比(CMRR) | 50 dB typ. |
|---|---|
| 変換ゲイン精度 | ±5 %(@ 入力光パワー ≤ 1 mW、校正波長時) |
| ローパスフィルター | DC / 10 Hz(切替式) |
| 出力 | ±10 V(@ ≥10 kΩ 終端) |
|---|---|
| 電源仕様 | ±15 V、+110 mA/−80 mA typ.、±200 mA 推奨 |
| インターフェース仕様 |
5系統 光絶縁デジタル入力(TTL/CMOS互換)、 アナログオフセット制御電圧入力 |
LUCI-M との組み合わせによるPCベース計測
LUCI-M と組み合わせることで、OE-200-BPR の各種設定制御およびデータ取得が可能です。
- 最大 2.5 MS/s ADC による出力信号取得
- ゲイン切替
- Low Noise / High Speed 切替
- AC/DCカップリング切替
- オーバーロード状態読出し
- DACによるオフセット補償電圧設定
これにより、外部周辺機器を追加することなく、しきい値に応じた自動ゲイン切替などのPCベース計測システムを構築できます。
LUCI-M / LUCI-10用プログラミング・制御方法についてはご相談ください。
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