ハイパワー波長可変光源
T200S
光集積回路・光部品の検査に不可欠な高掃引速度波長可変光源
特長
- 最大200nm/sのスキャン速度
- 調整可能な全スペクトル領域で公称10dBmを実現
- 超低自然放出光と狭い線幅
- 波長範囲：(1260 - 1360)nm または (1500 - 1630)nm
- コンパクト
- 波長チューニングモードと連続掃引モード
- アクティブ・モード・ホップ・フリー動作
用途
- 光受動部品
- フォトニック集積回路
- 研究開発用多目的波長可変レーザ
仕様
波長
| 型番 | T200S-O | T200S-CL |
|---|---|---|
| 波長範囲 | 1260 - 1360 nm | 1500 - 1630 nm |
| 波長不確定性 *1 | ± 5 pm (typical), ± 20 pm | ± 5 pm (typical), ± 20 pm |
| 波長再現性 *2 | ± 5 pm (typical) | ± 5 pm (typical) |
| 波長安定性 *3 | ± 5 pm | ± 5 pm |
| 波長設定分解能 | 1 pm | 1 pm |
波長可変速度
光出力
| 最大速度 (nm/s) | 100 (200 optional) |
|---|---|
| 調整可能速度 (nm/s) | 20, 50, 100, 200 (optional) |
| モードホップフリー動作 | Active mode-hop cancelation |
| 波長スイープ最小トリガー分解能 (pm) *10 | 0.5 |
| 全波長域での公称出力 (dBm) | 10 |
|---|---|
| 光出力安定性 *3 (dB) | ±0.01 (typical) |
スペクトル特性
出力
| 線幅 *4 (10 μs 積算時間) (kHz) | < 25 (typical) |
|---|---|
| 線幅 *4 (100 μs 積算時間) (kHz) | < 250 (typical) |
| サイドモード抑圧比 *5（SMSR） (dB) | > 50 (typical) |
| 信号対光源自然放出光比 *6 (SSSER) (dB) | 90 (typical) |
| 信号対全光源自然放出光比 *7 (STSSER) (dB) | 75 (typical) |
| 相対強度ノイズ *8 (RIN) (dB/Hz) | –150 (typical) |
| 光ファイバ *9 | PM ファイバ, FC/APC コネクタ |
|---|---|
| PER (dB) | 17 (typical) |
環境条件
接続
| 動作温度 | 15 ℃ ～ 35 ℃ |
|---|---|
| 動作湿度 | < 80% (結露なし) |
| ウォーミングアップ時間 | 1 時間 |
| 大きさ (L x H x D) | 217 mm x 173 mm x 441 mm |
| 重さ | 9 kg |
| モニタ | 7インチ静電容量式タッチスクリーン |
|---|---|
| リモート接続 | Ethernet RJ45 LAN 10/100/1000 Mbit/s |
| 電気 BNC ポート | 1x trigger IN, 1x trigger OUT, 光出力モニタ、波長モニタ |
| USB ポート | USB 3.0 (1), USB 2.0 (2) |
安全
| Laser safety | Class 1M |
|---|---|
| 電源 | 100 - 240 V AC; 50/60 Hz; 0.65 - 0.3 A |
-
※すべての仕様値は、特に記載のない限り、18～28 ℃の環境で、温度変動±1 ℃以内、波長フルリファレンス実施後、
60分間のウォームアップ後、かつウォーターピーク波長以外の条件で測定したものです。
-
*1TUNEモード、高精度設定時
-
*2TUNEモード、高精度設定時で、短波長側から長波長側へ波長チューニングを行った場合。
-
*3温度21 ℃ ±1 ℃の環境で1時間にわたり測定。出力10 dBmで測定。
安定度は、60分間の測定ウィンドウ内で観測された最大値と最小値の差の半分を ±値として表記。 -
*4TUNEモード、線幅最適化（Optimized Linewidth）設定時。出力10 dBm、温度21 ℃ ±1 ℃で測定。
-
*5出力10 dBm、温度21 ℃ ±1 ℃で測定。T200S-Oモデルについては1270 nm～1360 nmの範囲。
-
*6中心波長において、0.1 nmの測定帯域幅（Bandwidth）で、出力10 dBmの条件で測定。
-
*7中心波長に設定したレーザーに対し、信号周辺 ±0.6 nm を除外領域（Exclusion Zone）として設定し、100 nmのスパンで測定。
-
*8RBW（分解能帯域幅）= 30 kHz の条件で、100 MHz～3 GHzの範囲におけるRIN（Relative Intensity Noise：相対強度雑音）を測定。
T200S-Oモデルについては1270 nm～1360 nmの範囲。 -
*9光ファイバーのスロー軸（Slow Axis）および偏波方向が、キー付きコネクタの方向に一致するように調整。
-
*10出力トリガーのPULSE機能有効時。すべてのスキャン速度で利用可能。掃引中、設定された波長間隔ごとにトリガー信号を生成。
ただし、レーザーの波長掃引範囲はスキャン速度および分解能に応じて一部制限を受ける。また、双方向掃引（Bidirectional Scanning）には非対応。
技術資料
動画一覧
この製品に関するお問合せフォーム
フォームが表示されるまでしばらくお待ちください。
しばらくお待ちいただいてもフォームが表示されない場合、恐れ入りますが こちら までお問合せください。