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レーザーレンジファインダー（LRF）用
受光素子 750シリーズ
高感度と高速復帰を備えたレーザー測距用レシーバーです。
レーザーレンジファインダー（LRF）用受光素子、750シリーズは、高感度と高速復帰が求められるレーザー測距アプリケーション向けに設計されています。 ハイブリッドバージョンは、MIL-STD-883Dの要求事項に対応するよう設計されています。
受講素子には、シリコンAPD、またはInGaAs PINフォトダイオード / APDを選択できます。 1064nm、または1550nmの波長検出に対応します。
また、0.5ns～30ns FWHMのパルス幅に対応する各種レシーバーも用意しています。
製品一覧
| 型番 ・ データシート | Detector | Detector ⌀ | Wavelength | Sensitivity 50% Pd (Typical) | Optimum Pulsewidth | Time- Programmed Gain | Supply Voltage (V) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| InGaAs APD | 80 µm | 1.06 to 1.7 µm | 1.5 nW | 20 ns | 25 dB | +5, 70 V typical | |
| InGaAs APD | 200 µm | 1.06 to 1.7 µm | 3 nW | 20 ns | 28 dB | +5, 70 V typical | |
| InGaAs APD | 200 µm | 1.06 to 1.7 µm | 5 nW | 20 ns | 28 dB | +5, 70 V typical | |
| Si APD | 0.8 mm | 0.40 to 1.1 µm | 3 nW | 28 ns | 1/R² to 2 km | +12, >+450 | |
| InGaAs APD | 80 µm | 1.06 to 1.7 µm | 3 nW | 6 ns | 1/R² to 2 km/external | ±12, >100 | |
| InGaAs APD | 200 µm | 1.06 to 1.7 µm | 6 nW | 6 ns | 1/R2 to 2 km/external | ±12, >100 | |
| InGaAs APD | 80 µm | 1.06 to 1.7 µm | 3 nW | 6 ns | 1/R2 to 2 km/external | ±12, >100 | |
| InGaAs APD | 200 µm | 1.06 to 1.7 µm | 4 nW | 6 ns | 1/R2 to 2 km/external | ±12, >100 | |
| InGaAs PIN | 300 µm | 1.06 to 1.7 µm | 33 nW | 20 ns | 1/R2 to 1 km | 5 ± 0.25 |
特長
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高感度検出
高感度が求められるレーザー測距用途に適した設計です。 -
高速復帰
高速復帰特性により、短い時間間隔での信号検出に対応します。 -
複数の受光素子を用意
シリコンAPDに加え、InGaAs PINフォトダイオードおよびAPDも選択できます。
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2つの波長に対応
1.064 µmまたは1.55 µmの検出に対応します。 -
幅広いパルス幅に対応
0.5 ns ～ 30 ns FWHMのパルス幅に対応するモデルを用意しています。
仕様
- 対応波長 ： 1.064 µm、1.55 µm
- 受光素子 ： シリコンAPD、InGaAs PINフォトダイオード、InGaAs APD
- 対応パルス幅 ： 0.5 ns ～ 30 ns FWHM
- 規格対応 ： MIL-STD-883D（ハイブリッドバージョン）
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