GPD Optoelectronics

近赤外 InGaAs フォトダイオード

近赤外 InGaAs フォトダイオード

特 長

  • 有効径:0.3mm ~ 3mm
  • カットオフ波長:1.9μm / 2.05μm / 2.2μm / 2.6μm
  • 高シャント抵抗
  • 各種レンズ選択可能:両凸 / 平凸 / ボール
  • パッケージ:TO-46 / TO-18 / TO-5 / TO-8 / TO-9/BNC
  • ガスセンシングモニタ
  • 炭化水素センサ
  • 火炎/スパーク検出
  • FTIR
  • 分光器
  • SWIR
  • 光検出

1.9 μm Extended Response

2.05 / 2.2 / 2.6 μm Extended Response の仕様はデータシートをご覧ください。


Electrical Characteristics @ 23 ºC ± 2 ºC

Performance
Specification
GAP300/1.9  GAP500/1.9  GAP1000/1.9  GAP2000/1.9  GAP3000/1.9  Units
Active Diameter 0.3 0.5 1 2 3 mm
Peak Wavelength
(typ)
1.7 ± 0.1  1.7 ± 0.1  1.7 ± 0.1  1.7 ± 0.1  1.7 ± 0.1  μm
Cutoff Wavelength
(50%)
1.9 ± 0.1  1.9 ± 0.1  1.9 ± 0.1  1.9 ± 0.1  1.9 ± 0.1  μm
Responsivity
@ λP(min/typ)
0.9/1.0  0.9/1.0  0.9/1.0  0.9/1.0  0.9/1.0  A/W
Shunt Resistance
(min)
15 2 1 0.25 0.11
Dark Current (max) 0.1@1 V  0.9@1 V  4@1 V  10@1 V  22.5@0.5 V  μA
Capacitance
(typ) @ 0V
60 200 600 3000 6750 pF
Bandwidth
w/ 50Ω @ 0V (typ)
53 16 5.3 1.1 0.47 MHz
Rise time
w/ 5 Ω @ 0V (typ) 
6.6 22 66 330 742 ns
NEP @ λPEAK (typ)  3 x 10-14 9 x 10-14 12.8 x 10--14 26 x 10-14 38 x 10-14 W/Hz1/2
Linearity
(± 0.2dB @ 0V) 
6 6 6 6 6 dBm
Case Style  TO-46  TO-46  TO-46  TO-5  TO-5 

Maximum Ratings

  GAP300/1.9  GAP500/1.9  GAP1000/1.9  GAP2000/1.9  GAP3000/1.9 
Storage Temperature (℃) -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125
Operating Temperature (℃) -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85
Reverse Voltage (V) 3 2 2 2 1
Reverse Current (mA) 10 10 10 10 10
Forward Current (mA) 10 10 10 10 10
Power Dissipation (mW) 100 100 50 50 50

データシート

 近赤外 InGaAs フォトダイオードPDF328MB


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