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フォトダイオード

米国 GPD Optoelectronics 社は１９７３年高速ゲルマニウムトランジスタおよび
ダイオードの製造メーカとして創業し、以降４０年以上に渡り
オプトエレクトロニクス事業で高い支持を集めています。

ニューハンプシャーに28,000m² 超の広大な敷地を持ち、リソグラフィ、エッジング、
ファイバピグテイル、ボンディング、デポジション / メタライゼーション、光学特性試験、
極低温測定等、全製造工程を自社で一括管理し、安定した供給体制を確立してきました。
品質保証においても、MIL-I-45208 に準拠した検査システム、Telcordia（TA-NWT-00093）、
MIL-STD-88 に準拠したテストシステムをいち早く導入し、日々信頼性の向上に努めています。

1985年からは赤外フォトディテクターの製造を開始。
Ge、p-n、APD や高速 InGaAs ピンフォトダイオード、放射光検出および通信アプリケーション用
広面積フォトディテクタ等をリリース。
様々な分野で OEM 採用の実績を持ちます。
近年もカスタム可能な２色サンドイッチ式ファトダイオードや４分割 InGaAs フォトダイオードなど、
ユニークな製品のリリースを続けております。