RFアトムソース
HDシリーズ
RFアトムソースは、RF放電を利用した中性ビームの発生源です。
この RFアトムソースは極めて高い原子フラックスとイオン量ゼロの中性ビームを生み出します。
これは、イオンビームプロセスに関連するポイントデフェクトがない
極めて高い品質材料の急速な成長を行ないます。
RFアトムソースは窒化物成膜、酸化物成膜、水素原子によるクリーニングに利用されています。
特長
- 高解離率
- 高品質膜
- 均一性
- フラックス：>1x1016 atoms／cm2／sec * Working distance: 100mm
- 動作真空度：< 5x10-3 mbar
仕様
| Model | HD20 | HD25 | HD60 | HD150 |
|---|---|---|---|---|
| In-vacuum diameter |
34 mm | 57 mm | 96 mm | 196 mm |
| Standard length | 290 mm | 290 mm | 290 mm | 212 mm |
| Beam diameter | 20 mm | 25 mm | 50 mm | 150 mm |
| Mounting flange | NW35CF (70mm/2.75”) |
NW63CF (114mm/4.5”) |
NW100CF (150mm/6”) |
NW200CF (250mm/10”) |
| Max. operating power | 400 W | 600 W | 600 W | 1,200 W |
Note:
OAR also manufactures model HD25R specifically for users of some Riber MBE systems with non-standard port sizes. Please ask OAR for details
Flux: At a working distance of 100mm >1x1016atoms/cm2/sec
Standard equipment supplied: Source (to user-specified length & with viewport to plasma), RF cable, manual tuning unit, ion deflection plates and power supply
Services: 0.5l/min water cooling
Operating pressure: All sources can operate at chamber pressure <5x10-3mbar
用途
- 窒化物、酸化物、Ｎ-ドーピング、High-K誘電体、水素原子クリーニング
- GaInNAs、GaN、Al2O3、High-K
技術資料
データシート
この製品に関するお問合せフォーム
フォームが表示されるまでしばらくお待ちください。
しばらくお待ちいただいてもフォームが表示されない場合、恐れ入りますが こちら までお問合せください。