アバランシェフォトダイオード
Si APD UV sensitive

シリコン APD、UV センシティブディテクタは紫外～青色光の微弱光を検出するために設計されており、バイオメディカルアプリケーションに最適です。

SUR シリーズは紫外/深紫外の波長域の透過率が高いシリコンを基盤としており、青色波長帯での使用において非常に高い感度と低ノイズであることがメリットとして挙げられます。

また、非常に広い波長域 (255～1000nm) を持つ点も特記事項です。

特長

	Min	Max	Units
Storage Temperature	-55	100	°C
Operating Temperature*1	-40	85	°C
Reverse Current Peak Value (CW Operation)		200	µA
Reverse Current Peak Value (1 sec Duration)		1	mA
Forward Current l_F at 25°C Average Value (CW Operation)		5	mA
Forward Current l_F at 25°C Peak Value (1 sec Duration)		50	mA
Max. Total Power Dissipation		60	mW
Soldering (for 5 sec.)		200	℃

*1

Extended operating temperature range possible for special design considerations

	Min	Typ	Max	Units
Wavelength range	260		1000	nm
Active area diameter		0.5		mm
Breakdown voltage @ ld= 10 µA	100	200	300	V
Responsivity @ M= 100 　260 nm 　300 nm 　350 nm 　400 nm 　650 nm		21 22 25 28 44	21 22 25 28 44	A/W A/W A/W A/W A/W
NEP @ M= 100 　280 nm 　300 nm 　350 nm 　400 nm		22 20 18 16	22 20 18 16	fW/sqrt (Hz) fW/sqrt (Hz) fW/sqrt (Hz) fW/sqrt (Hz)
Temperature coefficient @ M= 100		0.9		V/K
Dark Current, ld @ M= 100		200		pA
Noise current @ M= 100		2		pA/sqrt (Hz)
Capacitance @ M= 100		1.4		pF
Rise Time @ M= 100 & 400 nm& RL= 50 Ohms		2		nsec
Cut-off frequency @ M= 100		150		MHz

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