アバランシェフォトダイオード
InGaAs APD 1100～1700nm
IAGシリーズは波長1000～1630nmでお使いいただけるInGaAsアバランシェフォトダイオードです。
高い受光感度と非常に速い rise/fall timeを特長としています。
ピークの受光感度は1550nmはアイセーフ距離測定、フリースペースでの通信、OTDRおよび、高分解能コヒーレンス・トモグラフィーに適しています。
素子はTO-46パッケージに密閉もしくはセラミック製のサブマウントのにマウントされています。
特長
- アクティブエリア：80、200µmもしくは350µm
- 帯域幅：～2.5GHz
- 70%以上のQE (1000～1600nm)
- 低いダークカレントとノイズ
- TO-46もしくはセラミック製サブマウントのパッケージ
- ファイバーカップルバージョンあり
アプリケーション
- 距離測定
- 光通信システム
- コヒーレンス
- トモグラフィー
- 低出力光源の受光
仕様
Generic Characteristics at T= 21°C
IAG-Series
| Min | Typ | Max | Units | |
|---|---|---|---|---|
| Wavelength Range | 1000 | 1630 | nm | |
| Peak Sensitivity | 1550 | nm |
Absolute Maximum Ratings
IAG 080X / IAG 200X
| Min | Typ | Max | Unit | |
|---|---|---|---|---|
| Storage Temperature | -60 | 125 | °C | |
| Operating Temperature *1 | -40 | 80 | °C | |
| Max. Reverse Current | 1 | mA | ||
| Max. Forward Current | 0 | 10 | mA | |
| Optical Input (10 ns pulse) | 200 | kW/cm2 | ||
| Optical Input (average) | 0 | dBm | ||
| Soldering (for 5 sec.) | 200 | °C |
IAG 350X
| Min | Typ | Max | Unit | |
|---|---|---|---|---|
| Storage Temperature | -60 | 125 | °C | |
| Operating Temperature *1 | -40 | 80 | °C | |
| Max. Reverse Current | 1 | mA | ||
| Max. Forward Current | 0 | 10 | mA | |
| Optical Input (10 ns pulse) | 200 | kW/cm2 | ||
| Optical Input (average) | 2 | dBm | ||
| Soldering (for 5 sec.) | 200 | °C |
-
*1Extended operating temperature range possible for special design considerations
Electrical Characteristics (Tc= 25°C, λ= 1550nm)
IAG 080X
| Parameter | Min | Typ | Max | Units |
|---|---|---|---|---|
| Active Diameter | 78 | 80 | 82 | µm |
| Responsivity @M=11550nm wavelength |
0.85 | 0.90 | 1.00 | A/W |
| Dark Current @M=10 |
- | 1 | 15 | nA |
| Operating voltage, Vr@M=10 | - | 55 | 70 | Volt |
| Breakdown voltage, Vbr (ld=10µA) | 40 | 65 | 80 | Volt |
| Capacitance | 0.32 | 0.35 | 0.4 | pF |
| Temperature coeff. of Vbr |
0.05 | 0.06 | 0.07 | V/℃ |
| Bandwidth @M=5 |
- | - | - | GHz |
| Bandwidth @M=10 |
2.0 | 2.5 | 3.0 | GHz |
| Bandwidth @M=20 |
1.5 | 2.2 | 2.5 | GHz |
| Excess Noise Factor, F@M=10 | - | 3.2 | 3.7 | - |
| Excess Noise Factor, F@M=20 | - | 5.5 | 6.0 | - |
| Noise Equivalent Power, NEP@M=10 | - | 0.01 | 0.04 | pW/Hz½ |
IAG 200X
| Parameter | Min | Typ | Max | Units |
|---|---|---|---|---|
| Active Diameter | 200 | 205 | 210 | µm |
| Responsivity @M=11550nm wavelength |
0.85 | 0.90 | 0.95 | A/W |
| Dark Current @M=10 |
- | 8 | 25 | nA |
| Operating voltage, Vr@M=10 | 43 | 55 | 75 | Volt |
| Breakdown voltage, Vbr (ld=10µA) | 50 | 63 | 83 | Volt |
| Capacitance | - | 1.5 | 2.0 | pF |
| Temperature coeff. of Vbr |
- | 0.075 | - | V/℃ |
| Bandwidth @M=5 |
0.5 | 1.5 | 2.0 | GHz |
| Bandwidth @M=10 |
1.0 | 1.5 | 2.0 | GHz |
| Bandwidth @M=20 |
0.5 | 1.0 | 1.5 | GHz |
| Excess Noise Factor, F@M=10 | - | 3.2 | 3.7 | - |
| Excess Noise Factor, F@M=20 | - | 5.5 | 6.0 | - |
| Noise Equivalent Power, NEP@M=10 | - | 0.032 | 0.10 | pW/Hz½ |
IAG 350X
| Parameter | Min | Typ | Max | Units |
|---|---|---|---|---|
| Active Diameter | 350 | 352 | 355 | µm |
| Responsivity @M=11550nm wavelength |
0.90 | 0.94 | 1.05 | A/W |
| Dark Current @M=10 |
- | 190 | 250 | nA |
| Operating voltage, Vr@M=10 | 30 | 45 | 60 | Volt |
| Breakdown voltage, Vbr (ld=10µA) | 35 | 55 | 70 | Volt |
| Capacitance | - | 4.1 | 4.6 | pF |
| Temperature coeff. of Vbr |
- | 0.075 | - | V/℃ |
| Bandwidth @M=5 |
- | 0.6 | - | GHz |
| Bandwidth @M=10 |
- | 0.6 | - | GHz |
| Bandwidth @M=20 |
- | 0.6 | - | GHz |
| Excess Noise Factor, F@M=10 | - | 3.2 | 3.7 | - |
| Excess Noise Factor, F@M=20 | - | 5.5 | 6.0 | - |
| Noise Equivalent Power, NEP@M=10 | - | 0.12 | - | pW/Hz½ |
技術資料
データシート
カタログ
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