InGaAs 4分割式 フォトダイオード
特長
- 波長帯域 ： 800nm ～ 1700nm
- 有効径 ： 0.5mm / 1.0mm / 1.5mm / 2.0mm / 3.0mm
- 高感度
- 低クロストーク
- 高シャント抵抗
- 低暗電流
- 高セグメント帯域幅向け低キャパシタンス
- パッケージ ： TO-18 / TO-5
仕様
Optical & Electrical Characteristics @23ºC ± 2ºC
| Performance Specification | GAP500Q | GAP1000Q | GAP1500Q | GAP2000Q | GAP3000Q | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Active Surface Diameter | 0.5 | 1 | 1.5 | 2 | 3 | mm |
| Sector Area | 0.0423 | 0.184 | 0.423 | 0.76 | 1.73 | mm² |
| Element Gap | 0.02 | 0.02 | 0.02 | 0.03 | 0.03 | mm |
| Crosstalk (typ./max.) | 2/5 | 2 / 5 | 2 / 5 | 2 / 5 | 2 / 5 | % |
| Wavelength Range | 800 to 1700 | 800 to 1700 | 800 to 1700 | 800 to 1700 | 800 to 1700 | nm |
| Peak Wavelength | 1600 | 1600 | 1600 | 1600 | 1600 | nm |
| Cutoff Wavelength (50%) | 1650 | 1650 | 1650 | 1650 | 1650 | nm |
| Responsivity @λPEAK (min./typ.) | 0.9 / 0.95 | 0.9 / 0.95 | 0.9 / 0.95 | 0.9 / 0.95 | 0.9 / 0.95 | A/W |
| Dark Current @5V (typ./max.) | 0.1｜2 | 0.6｜6 | 1=12 | 2｜22 @2V | 5｜50 @2V | nA |
| Shunt Resistance (min./typ.) | 390｜781 | 88｜176 | 40｜80 | 23｜46 | 10｜20 | MΩ |
| NEP @λPEAK | 7 | 14 | 21 | 28 | 42 | fW/Hz1/2 |
| Junction Capacitance @0V | 4｜7 | 19｜31 | 41｜68 | 72｜21 | 165｜275 | pF |
| Junction Capacitance @5V | 4｜6 | 8｜10 | 17｜22 | 31｜39 @2V | 70｜90 @2V | pF |
| Rise/Fall Time @5V (typ.) | 0.4 | 1 | 2 | 4 | 8 | ns |
| Package | TO-46 | TO-46 | TO-46 | TO-5 | TO-5 |
Maximum Ratings
| Performance Specification | GAP500Q | GAP1000Q | GAP1500Q | GAP2000Q | GAP3000Q | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Storage Temperature | -40 to 70 | -40 to 70 | -40 to 70 | -40 to 70 | -40 to 70 | ℃ |
| Operating Temperature | -40 to 85 | -40 to 85 | -40 to 85 | -40 to 85 | -40 to 85 | ℃ |
| Reverse Current | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | mA |
| Forward Current | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | mA |
アプリケーション
- ビームアライメント
- レーザー導光
- 光ピンセット
- ビームプロファイリング
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