Ti:Sapphire レーザー結晶
Titanium Doped Sapphire Crystal (Ti:Sapphire)
Ti:サファイア（チタン:サファイア）レーザー結晶は、660～1050 nmの広いチューニング範囲と卓越した光学特性により、超短パルスレーザーやフェムト秒レーザー、高出力レーザーなど多様なレーザーアプリケーションにおいて不可欠です。先進的なレーザー技術に対応するこの結晶は、研究機関や産業界での幅広い利用に適しています。
CASTECH社は、温度勾配法(TGT)という先進的な成長法を有しており、転位密度102cm-以下、光散乱のない高品質の大型(Dia.30×30 mm3)チタンサファイア結晶を供給しています。
TGT成長のTi:サファイア結晶は、[0001]方位成長、高ドープ量(α490 = 4.0cm-1)、高利得、高いレーザー損傷閾値という特徴を持ちます。
用途
- 色素レーザーの優れた代替品として
- 10fs以下の超高速パルスで紫外およびDUV（193nmまで）レーザーを発生に
- OPOのポンプ光源として
仕様
| Chemical formula: | Ti3+: Al2O3 |
|---|---|
| Crystal structure: | Hexagonal |
| Lattice constants: | a=4.758 Å, c=12.991 Å |
| Density: | 3.98 g/cm3 |
| Melting point: | 2040 oC |
| Mohs hardness: | 9 |
| Thermal conductivity: | 52 W/m/k |
| Specific heat: | 0.42 J/g/k |
| Laser action: | 4 - Level Vibronic |
| Fluorescence lifetime: | 3.2 µs (T=300 K) |
| Tuning range: | 660 ～ 1050 nm |
| Absorbtion range: | 400 ～ 600 nm |
| Emission peak: | 795 nm |
| Absorption peak: | 488 nm |
| Refractive index: | 1.76 @ 800 nm |
| Peak Cross-section: | 3 - 4 × 10-19 cm2 |
| thermal Expansion: | 8.40 × 10-6 /℃ |
Standard product specifications
- Orientation: Optical axis C normal to rod axis
- Ti2O3 concentration: 0.06 - 0.26atm %
- Figure Of Merit(FOM): 100~250(>250 available on special requests)
- α490: 1.0-4.0cm-1
- Diameter: 2-30mm or specified
- Path Length: 2-30mm or specified
- End configurations: Flat/Flat or Brewster/Brewster ends
- Flatness: <λ/10 @ 633 nm
- Parallelism: <10 arc sec
- Surface finishing: <40/20scratch/dig to MIL-PRF-13830B
- Wavefront distortion: <λ/4 per inch
技術資料
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