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| BrightLase™ Single Emitter Semiconductor Lasers | |||||
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モデル | エミッタ幅 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-104 | 250μm | 1.5W | 976nm |  372KB |
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| ES-177 | 250μm | 1.5W | 1040nm | ||
| ES-102 | 250μm | 1W | 1550nm | ||
シングルモードDFBレーザ
| Single Mode DFBLaser | |||||
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モデル | 出力 | 波長 | キャビティ長 | Data Sheet |
| ES-149 | 150mW | 976±1nm | 1.0mm | 571KB |
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| BrightLase™ High Power Single Mode Lasers | |||||
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Parameter | スペクトル幅 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| 1550nm CW | < 0.1nm FWHM | 400mW CW | 1550nm | 127KB |
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| 1550nm Pulsed | < 0.1nm FWHM | 5W peak | 1550nm | ||
アンマウントバー
| Unmounted Semiconductor Laser Bars | |||||
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モデル | エミッタ＃ | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| 2101-A | 19 | 40W | 795nm | 432KB |
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| 2101-B | 25 | 50W | 795nm | ||
| 2201-A | 19 | 40W | 808nm | ||
| 2201-B | 25 | 50W | 808nm | ||
| 2301-A | 19 | 40W | 940nm | ||
| 2301-B | 25 | 50W | 940nm | ||
| 2401-A | 19 | 20W | 1470nm | ||
| 2401-B | 25 | 25W | 1470nm | ||
| 2501 | 19 | 20W | 1532nm | ||
マウントバー
| Conduction Cooled Semiconductor Laser Bars | |||||
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モデル | エミッタ＃ | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| 4101-A | 19 | 40W | 795nm | 462KB |
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| 4101-B | 25 | 50W | 795nm | ||
| 4201-A | 19 | 40W | 808nm | ||
| 4201-B | 25 | 50W | 808nm | ||
| 4301-A | 19 | 40W | 940nm | ||
| 4301-B | 25 | 50W | 940nm | ||
| 4401-A | 19 | 20W | 1470nm | ||
| 4401-B | 25 | 25W | 1470nm | ||
| 4501 | 19 | 20W | 1532nm | ||
BrightLase™ ファイバーカップルモジュール
| BrightLase™ Fiber Coupled Modules | |||||
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モデル | コア径 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-160 | 200μm | ≧35W | 795nm | 629KB |
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| ES-143 | 400μm | ≧30W | 808nm | ||
| ES-135 | 200μm | ≧35W | 976nm | ||
| ES-178 | 200μm | ≧30W | 1064nm | ||
| ES-150 | 400μm | ≧10W | 1380nm | ||
| ES-176 | 400μm | ≧12W | 1470nm | ||
| 6401-A | 400μm | ≧15W | 1532nm | ||
内部グレーティングファイバーカップルモジュール
| Fiber Coupled Module with Internal Gratings | |||||
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モデル | コア径 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-175 | 400μm | ≧25W | 808nm | 453KB |
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| ES-163 | 200μm | ≧20W | 976nm | ||
| ES-172 | 400μm | ≧12W | 1532nm | ||
BrightLase™ ファイバーカップルミニモジュール
| BrightLase™ Fiber Coupled Mini-Module | |||||
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モデル | スペクトル幅 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-6203-A | < 5nm | ≧15W | 808nm±10nm | 646KB |
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| ES-6303-A | < 10nm | ≧15W | 976nm±20nm | ||
| ES-6301-A | < 12nm | ≧15W | 1064nm±25nm | ||
BrightLase™ 高出力ファイバーカップルモジュール
| BrightLase™ High Power Fiber Coupled Module | |||||
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モデル | スペクトル幅 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-6200-A | < 5nm | 45W | 808nm | 310KB |
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| ES-6300-A | < 5nm | 45W | 976nm | ||
| ES-6402-A | < 2nm | 25W | 1532nm | ||
BrightLase™ コリメートモジュール
| BrightLase™ Collimated Modules | |||||
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モデル | スペクトル幅 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-156 | ≦5nm | 25W | 810nm±10nm | 359KB |
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| ES-121 | ≦8nm | 30W | 1064nm±10nm | ||
内部グレーティングスタックアレイ
| Stacked Array with Internal Grationgs | |||||
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モデル | バー＃ | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-146 | 6, 10 Standard | 30W/bar | 1532.5nm | 480KB |
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BrightLase™ システム
| BrightLase™ System | |||||
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モデル | コア径 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-7101-A | 200μm | ≧35W | 795nm | 808KB |
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| ES-7201-A | 400μm | ≧30W | 808nm | ||
| ES-7301-A | 200μm | ≧35W | 976nm | ||
| ES-7401-A | 400μm | ≧10W | 1380nm | ||
内部グレーティングシステム
| Internal Gratings System | |||||
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モデル | コア径 | 出力 | 波長 | Data Sheet |
| ES-7202 | 400μm | ≧25W | 808nm | 777KB |
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| ES-7302 | 200μm | ≧20W | 976nm | ||
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BrightLase™半導体技術
QPC Lasers は、BrightLase™ 半導体技術を開発し、商用化しました。このBrightLase™半導体技術により、従来を大きく上回るファセットパワー密度をもつ808nｍ帯の高輝度半導体レーザを実現しました。
800nmの領域における、レーザダイオードの最大の光学出力パワーは壊滅的光学損害（catastrophic optical damage：COD）によって制限されます。CODは、ファセット温度が半導体の材料の融点に達すると、発生します。ファセット加熱の2つの最前の要因は、レーザ光のファセット近傍での吸収と、クリーブしたファセットの表面状態における、電子−ホールのペアによる非放射的再結合です。従って、高いバンドギャップ、すなわち電流ブロック領域をファセットに挿入することにより、ファセットにおける光吸収、漏洩電流を抑制することが期待されます。
このことを、非吸収鏡(Non-AbsorbingMirror：NAM)をもつ、808nmで動作するシングルストライプのInAlGaAsレーザダイオードで実証しました。
BrightLase™では、エピタキシャル再成長プロセスにより、ファセットの近傍に、非吸収鏡(Non-AbsorbingMirror：NAM)と呼ばれる、光学的に非吸収で、かつ電気的に絶縁性の領域を生成します。
NAMにより、CODパワーは２倍以上に上昇し、レーザダイオードの信頼性は大きく改善されます。
再成長プロセスによるNAMを持つ8808nmのInAlGaAsレーザと、標準的な808nmレーザの、光学出力パワー−電流特性カーブを図示（図 1）します。
両デバイスともに、出力アパチャ−は50μm幅です。NAMを持たない、従来タイプの808nmレーザのCODパワーは2.3Wで、パワー密度は46 mW/μmです。他方、NAMレーザは、ファセット破壊の前に、出力パワー6W以上に達しています。この時のパワー密度は、125mW/μmです。
再成長NAMによって低減されたファセット温度は、CODレベルを上昇させるだけでなく、レーザダイオードの信頼性をも大いに改善します。図 2 は2.9Aのドライブ電流の808nmのNAMレーザからのライフテストデータを示します。光学パワーは2.5Wで、マウント温度は20℃です。デバイスはAuSnはんだを使用し、CTE整合したサブマウントに、ジャンクションを下にマウントしてあります。プレスクリーニングは行っていません。2.9A(50mW/μm)のオペレーションで、出力低下率は、測定の雑音ノイズレベル小さい値を示しています。2.9Aの電流での808nmNAMチップのライフテストは、NAMSのない808nmデバイスでのCOD限界に近いパワー密度であることに注目してください。