更新日 2008/07/24
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テーブルトップEUV光源
 レーザプラズマを光源とし、13nｍのＥＵＶ光を発生するシステムです。
ＥＵＶ光を発生するプラズマは、Nd:YAGレーザ（1064nm, 750mJ, 6ns）をパルスガスジェットにフォーカスさせることにより生成されます。
ガスは、高輝度の広帯域発光を選択するか、比較的高輝度でない狭帯域発光を選択するかによって、キセノンか酸素を使用します。
本システムは、ＥＵＶオプティクスやセンサーデバイスの特性の測定や、物質的相互作用の基礎研究などにご利用いただけます。
| 波長（Xeターゲット） |
7 - 20 nm |
| パルスエネルギー |
3.5 mJ （4πsr, 2%BW） |
| 変換効率（Xe） |
0.45% |
| パルス幅 |
6 ns |
| プラズマ形状 |
ほぼ球状, 300μm |
| パルス-パルス安定性 |
10% |
| ポジション安定性 |
10% |
▼ レーザフォーカス位置を変えた際の、EUVプラズマの形状
 
- 高いEUV出力 （3.5mJ）
- 少ないガス消費量
（gas pulse : 1ms）
- コンパクトなテーブルトップシステム
- 各種特性測定
- オプティクス検査
- 物質的相互作用の基礎的研究
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EUV Schwarzschild 対物鏡
 テーブルトップＥＵＶ光源用に設計された、13.5nmのSchwarzschild 対物鏡です。
２枚の球面ＵＬＥ基板で構成されており、ＥＵＶ光源から分離された真空容器内に設置されます。ＮＡは0.44で、プラズマ源に対して、10倍の縮小率をもっています。
ＵＬＥ基板は、高反射率のMo/Si 多層コートが施されています。
これらの、コンパクトＥＵＶ光源とオプティクスにより、本システムは30μmの収束スポットを達成し、エネルギー密度は、数mJ/cm2に達します。
したがって、マスクを使用した投射により、異なったマテリアルの生成などが可能になります。
一例として、LiF結晶内への5μmの線幅でのカラーセンターの直接書き込みを紹介します。
| NA |
0.44 |
| 縮小倍率 |
10倍 |
| 球面ULE基板 |
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| Mo/Si多層コート |
反射率 >65％ @13.5nm |
| 収束スポット径 |
<30μm |
| ▼ Mo/Si多層コートミラー |
▼ LiF結晶中へのカラーセンターの直接書き込み |
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