HOME取扱製品エレクトリカルコンポーネントフォトダイオードGPD Optoelectronics

高速 InGaAs フォトダイオード

高速 InGaAs フォトダイオード

特長

  • 小口径:60μm ~ 300μm
  • カットオフ波長:1.7μm
  • 高感度向け低暗電流
  • ハイスピード(2.5GHz)用低キャパシタンス
  • パッケージ:TO-46
  • 各種カスタム対応:ファイバピグテイル /
    レセプタクル/サブマウント
  • 光通信
  • 時間分解蛍光測定
  • LED / LD 時間特性測定
  • レーザ受光/レンジファインダ(LADAR)
  • 光受光 / 距離測定(LIDAR)
  • 自由空間光学系(FSO)
Electrical Characteristics @ 25 °C
GAP60/CS GAP75 GAP100 GAP300 units
Active Diameter 60 75 100 300 mm
Responsivity @850nm  0.10 (0.20)  0.10 (0.20) 0.10 (0.20)  0.10 (0.20)  A/W min.
(typ.)
  1300nm 0.80 (0.90) 0.80 (0.90) 0.80 (0.90) 0.80 (0.90) A/W min.
(typ.)
  1550nm 0.95 0.95 0.95 0.95 A/W min.
Dark Current@5V 0.8 (0.3) 0.8 (0.3) 1.0 (0.5) 5.0 (1.0) nA max.
(typ.)
Capacitance@5V 0.7 (0.5) / 0.5 (0.3)
-CS
0.8 (0.6) 1.2 (1.0) 8.0 (4.0) pF max.
(typ.)
Bandwidth 50Ω -3dB 6 / 10-CS 10 3 0.8 GHz min.
@5V
Rise/Fall time RL=50Ω 0.06 / 0.03-CS 0.07 0.1 0.4 ns max.
@5V
NEP@1550nm 10.0E-15 10E-15 13E-15 18E-15 W/√Hz
typ.
Case Style (standard) TO-46 (mod) / CS-1 TO-46 (mod) TO-46 (mod) TO-46 (mod)

Maximum Ratings
   GAP60/CS GAP75 GAP100 GAP300 units
Storage Temperature -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 -40 to 125 °C
Operating Temperature -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 °C
Reverse Voltage 25 25 25 25 V
Reverse Current 1 10 10 25 mA
Forward Current 10 10 10 100 mA

製品に関するお問い合わせフォーム

フォームが表示されるまでしばらくお待ち下さい。

恐れ入りますが、しばらくお待ちいただいてもフォームが表示されない場合は、こちらまでお問い合わせください。


製品一覧へ戻るGPD Optoelectronics社の製品一覧へ戻る