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Ge アバランシュフォトダイオード (APD)

Ge アバランシュフォトダイオード (APD)

特長

  • 小口径:40μm
  • 波長帯域:800nm ~ 1800nm
  • リニア / ガイガーモード
  • 高感度
  • 電子冷却有
  • パッケージ:TO-46 / サブマウント
  • ファイバピグテイル対応
  • OTDR
  • 光通信
  • フォトンカウンティング
Electrical Characteristics @ 25 °C
  GAV40 Units
Quantum Efficiency (peak)  72 (80) Units % min. (typ.)
Responsivity @1300 nm  0.76 (0.84) A/W min. (typ.) M=1
Breakdown Voltage *  20 / 30 / 40 V min./typ./max.
Dark Current @0.9Vb  0.2 (0.10) µA max. (typ.)
Capacitance @ 20V **  1.0 (0.8) pF max. (typ.)
Multiplied Dark Current  12  typ. M=1
Cutoff Frequency (-3dB)  1.5 (2.0) GHz min. (typ.)
Excess Noise Figure  0.95 BW=1MHz M=10  Iph=2µA typ.  
Excess Noise Factor  9 @1300 nm, f=300MHz typ.  
Temperature Coefficient of Vb 0.1 % / °C  

*IR=100µA  ** f=1MHz


Physical Specifications
  GAV40 
Active Diameter (µm)   40
Case Styles   TO-46 (modified) / TO-46 SM and MM pigtail, active mounts and ceramic substrates

Maximum Ratings
   GAV40 Units 
Storage Temperature  -40 to 85  °C 
Operating Temperature  -10 to 60  °C 
Reverse Current  0.4 mA 
Forward Current  80 mA 

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