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InGaAs 4分割式 フォトダイオード

InGaAs 4分割式 フォトダイオード

特長

  • 波長帯域:800nm ~ 1700nm
  • 有効径:0.5mm / 1.0mm / 1.5mm / 2.0mm / 3.0mm
  • 高感度
  • 低クロストーク
  • 高シャント抵抗
  • 低暗電流
  • 高セグメント帯域幅向け低キャパシタンス
  • パッケージ:TO-18 / TO-5
  • ビームアライメント
  • レーザ導光
  • 光ピンセット
  • ビームプロファイリング
Optical & Electrical Characteristics @ 23 ºC ± 2 ºC
Performance
Specification
GAP500Q GAP1000Q GAP1500Q GAP2000Q GAP3000Q Units 
Active Surface
Diameter
0.5 1 1.5 2 3 mm 
Sector Area 0.0423 0.184 0.423 0.76 1.73 mm²
Element Gap 0.02 0.02 0.02 0.03 0.03 mm
Crosstalk
(typ max)
2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 %
Wavelength
Range
800 to 1700 800 to 1700 800 to 1700 800 to 1700 800 to 1700 nm
Peak Wavelength 1600 1600 1600 1600 1600 nm 
Cutoff Wavelength
(50%)
1650 1650 1650 1650 1650 nm 
Responsivity
@ λPEAK(min/typ)
0.9/0.95 0.9/0.95 0.9/0.95 0.9/0.95 0.9/0.95 A/W 
Dark Current
@ 5V (typ/max)
0.1|2 0.6|6 1=12 2|22@2V 5|50@2V  nA 
Shunt Resistance
(min/typ)
390|781 88|176 40|80 23|46 10|20
NEP @ λPEAK 7 14 21 28 42 fW/Hz1/2
Junction
Capacitance@0V
4|7 19|31 41|68 72|21 165|275 pF
Junction
Capacitance@5V
4|6 8|10 17|22 31|39@2V 70/90@2V pF
Rise/Fall Time
@ 5V (typ)
0.4 1 2 4 8 ns
Package TO-46  TO-46  TO-46  TO-5  TO-5 

Maximum Ratings
 Performance
Specification
GAP500Q GAP1000Q GAP1500Q GAP2000Q GAP3000Q units
Storage
Temperature
-40 to 70 -40 to 70 -40 to 70 -40 to 70 -40 to 70
Operating
Temperature
-40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85 -40 to 85
Reverse Current  1 1 1 1 1 mA
Forward Current 10 10 10 10 10 mA

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