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InGaAs アバランシュフォトダイオード

InGaAs アバランシュフォトダイオード

特長

  • 有口径:80μm ~ 350μm
  • 波長帯域:900nm ~1650nm
  • リニアオペレーション
  • 高感度向け低暗電流
  • ハイスピード向け低キャパシタンス
  • パッケージ:TO-46 / サブマウント with ボールレンズオプション
  • ファイバピグテイルオプション
  • 自由空間光学系
  • LIDAR / LADAR
  • 高感度測光
  • 光通信
  • OTDR
Electrical Characteristics @ 23 ºC ± 2 ºC

IAV81 / IAV82 / IAV80BL / IAV80PTS / IAV202 / IAV203 / IAV204 / IAV205
/ IAV350 / IAV352 / IAV353 の仕様はデータシートをご覧ください。

Performance
Specification
IAV80 IAV200 IAV350 Units
Active Diameter 80 200 350 μm
Wavelength Range 1.0 - 1.63  1.0 - 1.63  1.0 - 1.63  μm
Responsivity
@ M=1 @ 1.55 μm
0.85 min|0.90 typ
|0.95 max
0.85 min|0.90 typ
|0.95 max
0.85 min|0.90 typ
|0.95 max
A/W
Dark Current
@ M = 10 
4 typ|15 max  8 typ|25 max  30 typ|250 max  nA
Operating Voltage,
VR @ M = 10
43 min|55 typ|70 max  43 min|55 typ|70 max  37 min|52 typ|68 max  V
Breakdown Voltage,
VBR (ID=10 μA)
40 min|65 typ|80 max 50 min|63 typ|75 max 45 min|60 typ|75 max  V
Capacitance
@ M = 10
0.35 min|0.38 typ|0.45 max 1.8 typ|2.2 max 3.2 typ|4.0 max  pF
VBR temperature
coefficient
0.06 typ 0.075  typ|0.08 max 0.075  typ V/℃
Bandwidth
@ M = 5
2 min|2.5 typ|3 max 0.5 min|1.5 typ|2 max 0.6 typ GHz
Bandwidth
@ M = 10
1 min|1.5 typ|2 max 1 min|1.5 typ|2 max 0.6 typ GHz
Bandwidth
@ M = 20
1.5 min|2.2 typ|2.5 max 0.5 min|1 typ|1.5 max 0.6 typ GHz
Excess Noise Factor,
F @ M = 10
3.2 typ|3.7 max 3.2 typ|3.7 max 3.2 typ|3.7 max GHz
Excess Noise Factor,
F @ M = 20
5.5 typ|6 max 5.5 typ|6 max 5.5 typ|6 max GHz
Noise Equivalent
Power, @ M = 10
10 typ|40 max 32 typ|100 max 80 typ|100 max fW/Hz1/2
Package TO-46 window cap TO-46 window cap TTO-46 window cap  

Maximum Ratings
Performance Specification IAV80 IAV200 IAV350 Units 
Storage Temperature -40 to 85  -40 to 85  -40 to 85 
Operating Temperature -40 to 70  -40 to 70  -40 to 70 
Reverse Current 1 1 1 mA 
Forward Current 10 10 10 mA 
Optical Input Density
(10 ns pulse width)
200 200 200 kW/cm² 
Optical Input (average) 1 1 1 mW 

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